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关键技术规格
| 参数项 | 规格值 |
|---|---|
| 产品型号 | 5STP26N6500 |
| 制造商 | ABB（日立能源） |
| 晶闸管类型 | hockey-puk（饼式/压接式） |
| 重复峰值断态/反向电压 (VDRM/VRRM) | 6500 V |
| 通态平均电流 IT(AV) @70°C | 2880 A |
| 最大通态电流 (Ifmax) | 4520 A |
| 浪涌通态电流 (ITSM) | 65 kA |
| 门极触发电流 (Igt) | 400 mA |
| 通态门槛电压 (VT0) | 1.12 V |
| 通态斜率电阻 (rT) | 0.29 mΩ |
| 结温 (Tvj max) | 125 °C |
| 结壳热阻 Rth(j-c) | 5.7 K/kW |
| 壳体尺寸 | Ø150×Ø100×35 mm |
| 压装力 (Fm) | 90 kN ±10% |
| 重量 | 约 2.90 kg |
| 安装方式 | Press-Pack 压接式 |
产品深度介绍
先看一组数字：6.5kV的阻断电压，2880A的通态平均电流，65kA的浪涌承受能力。这三个参数组合在一起，指向的就是高压直流输电、大型工业整流这类顶级功率应用场景。5STP26N6500 就是ABB专门为这种需求设计的相控晶闸管。
这块元件属于 ABB 5STP 系列大功率晶闸管家族，采用 hockey-puk 饼式压接封装——也就是业内常说的”圆饼”结构。晶闸管的两极分别位于圆饼的两个平面，通过外部压装机构施加高达 90kN 的夹持力来实现电气连接和散热。这种结构的好处是双面散热，热阻低，功率密度高。ABB 在这个系列上用了自己的 free-floating 硅片技术，硅片在封装内部可以微小幅度的自由膨胀，避免了热循环导致的应力开裂。沟槽型放大门极（interdigitated amplifying gate）的设计让门极触发更可靠，di/dt 承受能力更强。
你可能会问，为什么不用 IGBT 或 IGCT？晶闸管在导通状态下的压降极低——5STP26N6500 的导通门槛电压只有 1.12V，斜率电阻 0.29mΩ，折算下来满电流导通损耗远低于同电压等级的 IGBT。在大电流、低频（50Hz）的相位控制场景里，晶闸管仍然是不二之选。国内几个标志性工程——葛洲坝到上海、三峡到常州的直流输电线路——用的就是 ABB 的晶闸管技术。
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