描述

核心参数
参数类别
规格说明
产品型号
0190-37519
制造商
Applied Materials,Inc.
产品类型
半导体工艺模块组件
兼容平台
Endura®PVD系统
工作压力范围
1E-8至5E-3 Torr
温度稳定性
±0.5°C(350°C时)
材料兼容性
Al、Ti、Cu、TiN工艺就绪
真空完整性
<5E-9 mbar-l/s漏率
接口标准
AMAT CFx、SEMI E142兼容
电源连接
4×ISO-KF电气馈通
吹扫系统
N₂自动吹扫,带水分监测
使用寿命
100万片晶圆循环(典型值)
技术特点
该模块采用超高压真空完整性设计,配备专用金属密封件,能够将基础压力维持在1E-8 Torr以下,实现无污染沉积。先进的热管理系统确保在300mm晶圆处理过程中温度分布均匀(±0.5°C),实现埃米级厚度控制。模块化快速连接设计支持4小时内完成现场更换,具备自动识别功能,实现即插即用调试。集成健康监测功能通过专有传感器跟踪组件磨损和工艺漂移,与应用材料®E3诊断系统兼容。
应用领域
半导体前端制造:在先进逻辑晶圆厂中,该模块用于亚7nm铜互连的精密阻挡层/种子层沉积。在3D NAND制造中,为深沟槽电容结构提供共形覆盖,纵横比超过70:1。
先进封装:支持扇出晶圆级封装中的RDL(重分布层)金属化,具有优异的粘附性能。在功率半导体生产中,沉积具有受控晶粒结构的铝触点,以最小化电迁移。
MEMS制造:利用其低温处理能力,在敏感结构上进行应力控制金属化。
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安装与维护
安装前需进行真空室烘烤,达到<5E-7 Torr背景压力。建议每季度对所有密封接口进行氦气泄漏检查,通过集成传感器监测颗粒计数,并在75万片晶圆循环后更换靶材组件。
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